新突破!三星第二代10纳米级工艺 DDR4芯片开始量产

发布时间: 2017-12-21
所属栏目: 新闻资讯
点击数:

三星电子今天宣布,公司已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,实现了新的突破。2016年2月,三星已使用第一代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片。

三星开发的8Gb DDR4芯片

三星开发的8Gb DDR4芯片

韩国科技大厂三星20日宣布,已经开始量产第二代的1y纳米制程的DRAM产品。

三星表示,该项DRAM产品为8Gb的DDR4DRAM第二代产品。相较于上一代产品来说,新的8Gb DDR4具有8Gb DRAM存储器中最高的性能和耗能效率,另外还有更小的面积尺寸。

三星进一步指出,透过开发DRAM的电路设计和制程技术创新,三星已经突破了DRAM扩展性的主要障碍。透过第二代1y纳米制程生产的DRAM快速成长,三星将更加积极地扩展整体的1y纳米制程程的DRAM产品产能,以因应强劲的市场需求,并继续加强三星的业务竞争力。

据了解,三星的第二代1y纳米制程所生产的8Gb DDR4,比第一代1y纳米制程的8Gb DDR4DRAM在生产效率上提高了近30%。此外,由于采用了先进的专有电路设计技术,新的8Gb DDR4的性能水平和功耗分别提高了约10%和15%。

另外,新的8Gb DDR4每个引脚可以以每秒3,600 M bps的速度运行,比第一代1y纳米制程的8Gb DDR4 DRAM的3,200 Mbps速度,提升了超过10%。

三星进一步表示,为了达成这些成绩,三星应用了新技术,包括了使用高灵敏度的细胞数据传感系统和渐进的“空气间隔”方案,但是并没有使用EUV技术。而在第二代1y纳米制程所生产的8GbDDR4的每个单元中,新设计的数据感测系统可以更准确地确定每个单元中储存的数据,进而显著提高电路整合度和制造效率。

目前在全球DRAM三大厂中,包括三星及美光都在2016年陆续导入10纳米等级制程,而SK海力士则是到2017年中之后才开始逐步进入10纳米等级制程。

不过,根据之前所传出的消息,三星与美光两家公司在导入10纳米等级制程的过程并不顺利,都先后出现过相关产品有瑕疵而召回的情况,而这也是自2016年中以来DRAM市场一直供不应求、价格节节攀升的原因之一。如今,在三星第二代10纳米等级制程的DRAM产品量产下,是否能逐步满足市场的需求,业界人士都在密切关注着。